Увеличение степени конверсии $CO$ в $CO_2$ за счет диссоциации воды в плазмохимических системах
Увеличение степени конверсии $CO$ в $CO_2$ за счет диссоциации воды в плазмохимических системах
А.А. Кузовников, А.В. Пономарева, В.С. Свиридкина
Проведено математическое моделирование химической кинетики и плазмохимических процессов в системе, содержащей $СО$, $O_2$, $Н_2O$. Анализ механизма окисления $СО$ в системе $СО—O_2—Н_2O$ показал, что основная доля $CO_2$ образуется в практически беспороговой реакции молекул $СО$ с радикалами $ОН$. Радикалы $ОН$ получаются в реакции диссоциации колебательно-возбужденных молекул $Н_2O$. Показано, что использование неравновесной плазмы ($T_е = 1 эВ$, $n_e/n_0=10^{-6}$) приводит к селективному направлению реакции по каналу окисления окиси углерода СО. Незначительное содержание свободных радикалов ($p_{OH}$ = 1,5 мм рт. ст.) приводит к увеличению степени конверсии СО до 60—70% даже для случая недостатка кислорода $O_2$ и уменьшению времени протекания процесса окисления на 1,5—2 порядка.
Показать АннотациюCамофокусировка импульсного рентгеновского излучения в плазме
Cамофокусировка импульсного рентгеновского излучения в плазме
А.В. Андреев, Р.В. Хачатуров
Исследовано распространение рентгеновского излучения в плазме. Показана возможность самофокусировки рентгеновского импульса за счет действия пондеромоторных сил на электронную компоненту плазмы. Проведена оптимизация параметров плазмы и рентгеновского импульса. Показана возможность самофокусировки при реально достижимых интенсивностях импульса и значениях параметров плазмы
Показать АннотациюРефракция гомеотропно ориентированных пленок гребнеобразного ЖК-полимера
Рефракция гомеотропно ориентированных пленок гребнеобразного ЖК-полимера
Т.М. Глушкова, С.А. Иванов, Д.Ф. Киселев, М.М. Фирсова, А.П. Штыркова, С.Г. Костромин, В.П. Шибаев
Разработан комплекс методик для определения показателей преломления тонких полимерных пленок с гомеотропной ориентацией директора. Определены главные показатели преломления и их дисперсия для чистого гребнеобразного полимера и полимера с примесью азокрасителя. Показано, что примесь азокрасителя (до значений концентрации 0,2) практически не влияет на значения главных показателей преломления полимера, их дисперсию и значения длин волн фундаментальных полос поглощения, которые для обыкновенного и необыкновенного лучей оказались равными 232 и 287 нм соответственно
Показать АннотациюЗависимость оптических и спектральных характеристик тонкослойных интерференционных структур от угла падения плоской волны
Зависимость оптических и спектральных характеристик тонкослойных интерференционных структур от угла падения плоской волны
A.B. Козарь, Е.В. Путрина, О.В. Фионова
На основе численного эксперимента для тонкослойных интерференционных структур с двумя слоями в периоде исследовано смещение экстремумов пропускания, а также проведено сравнение ширины угловой полосы пропускания для тонкослойных и четвертьволновых структур при различных параметрах структуры. Получены соотношения для определения толщин слоев тонкослойных интерференционных структур, необходимых для согласования подложки при заданном угле падения. Показана возможность как просветления одной подложки при двух различных параметрах одного из слоев в отличие от $\lambda/4$-структур, так и согласования одной структурой двух различных подложек. Показана также возможность согласования на заданной длине волны с помощью одной тонкослойной структуры одновременно при двух различных углах падения.
Показать АннотациюСинтез многослойных оптических покрытий с заданными спектральными характеристиками в требуемом диапазоне углов падения
Синтез многослойных оптических покрытий с заданными спектральными характеристиками в требуемом диапазоне углов падения
Н.В. Гришина
Рассматривается синтез многослойных оптических покрытий с заданными спектральными характеристиками в требуемом диапазоне длин волн (или на одной длине волны), предназначенных для работы в широком диапазоне углов падения света. При синтезе используются градиентные методы оптимизации и метод игольчатых вариаций. Приведены примеры синтезированных систем: просветляющие покрытия, светоделители, узкополосный фильтр.
Показать АннотациюРасчет напряжений несоответствия в гетероструктурах $Cd_{0,2}Hg_{0,8}Te/CdTe$ и $Cd_{0,3}Hg_{0,7}Te/CdTe$
Расчет напряжений несоответствия в гетероструктурах $Cd_{0,2}Hg_{0,8}Te/CdTe$ и $Cd_{0,3}Hg_{0,7}Te/CdTe$
Ю.В. Кочетков, В.Н. Никифоров, О.Н. Васильева
Проведен расчет анизотропных напряжений несоответствия в переходном слое между несогласованными по параметру решетки пленкой и подложкой в гетероструктурах типа CdHgTe/CdTe для различных способов взаимной ориентации пленки и подложки. Результат продемонстрировал незначительную роль этого слоя в создании дефектов в пленке по сравнению со случаем полного согласования. Показано, что для согласованной гетероструктуры типа CdHgTe/CdZnTe взаимодиффузия приводит к возникновению напряженного переходного слоя, который может стать источником дислокаций, проникающих в пленку.
Показать АннотациюВлияние вольфрама на термическую стабильность и кристаллизацию аморфных металлических сплавов системы $Fe_{84-x}W_xB_{16}$
Влияние вольфрама на термическую стабильность и кристаллизацию аморфных металлических сплавов системы $Fe_{84-x}W_xB_{16}$
А.А. Новакова, Т.Ю. Киселева
Исследовано влияние увеличения концентрации вольфрама (x=1—5 ат.%) на термическую стабильность и кристаллизацию системы аморфных металлических сплавов $Fe_{84-x}W_xB_{16}$ методами дифференциальной сканирующей калориметрии и термомагнитного анализа. Обнаружено, что с увеличением концентрации вольфрама в сплаве повышается температура начала кристаллизации аморфной системы. При кристаллизации вольфрам, входя в решетку выделяющейся метастабильной фазы $(Fe, W)_3B$, понижает ее температуру Кюри.
Показать АннотациюГенерация дефектов в GaAs при воздействии лазерных импульсов допороговой энергии
Генерация дефектов в GaAs при воздействии лазерных импульсов допороговой энергии
Р.В. Прудников, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко
Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур Аu—GaAs, сформированных на поверхности арсенида галлия после облучения импульсами рубинового лазера с энергией меньше порога плавления поверхности. Зафиксировано образование дефектов в приповерхностной области полупроводника, что свидетельствует о снижении энергии активации образования центров при лазерном облучении.
Показать АннотациюВлияние импульсного лазерного облучения на магнитные свойства пленок ферритов-гранатов
Влияние импульсного лазерного облучения на магнитные свойства пленок ферритов-гранатов
А.И. Акимов, Л.М. Коренкова, Т.Н. Летова, И.М. Сараева, Н.Н. Шумихина
Монокристаллические пленки состава $(YSmCa)_3(FeGe)_5O_{12}$ облучались импульсом рубинового лазера длительностью 25 нс с длиной волны $\lambda$=347 нм. Максимальная освещенность при диаметре пучка 6 мм составляла $10^7 Вт/см^2$. Магнитные параметры пленок: намагниченность $M_s$, константы анизотропии (одноосной, $К_u$, и кристаллографической, $К_1$) измерялись на торсионном магнитометре. Облучение привело к увеличению $M_s$ и $К_u$, которое при дозе $(0,13—0,16) Дж/см^2$ составило 25 и 18% соответственно; величина $К_1$ не изменилась. Оптические спектры показали, что пропускание облученных пленок при $\lambda$=540—640 нм уменьшается. Изменение параметров объясняется перераспределением ионов $Ge^{4+}$ и $Fe^{3+}$ между подрешетками.
Показать АннотациюКинетика роста тонких ориентированных органических пленок
Кинетика роста тонких ориентированных органических пленок
П.В. Шибаев$^1$, К. Шамбург$^2$, К. Брюнфельдт$^2$, А.Ф. Александров$^1$, М.Э. Тимофеева$^1$, Н.А. Смирнова$^1$
Представлена модель роста ориентированных тонких пленок, основанная на рассмотрении кинетики системы жестких стержней решеточного газа. Выведены определенные соотношения между молекулярными кинетическими параметрами и величинами, характеризующими рост нормальных и планарных кластеров.
Показать Аннотацию