Фоторазвал гелиеподобного иона водорода
Фоторазвал гелиеподобного иона водорода
С.М. Бурков$^1$, Н.А. Летяев$^2$, С.И. Страхова$^2$
С использованием $R$-матричного подхода рассчитаны сечения фоторазвала отрицательного иона водорода и параметры анизотропии углового распределения фотоэлектронов. Расчеты выполнены в приближении сильной связи шести состояний. Проведено сравнение с экспериментальными и теоретическими данными других авторов.
Показать АннотациюКвантовые флуктуации и сжатые состояния в нелинейном резонаторе
Квантовые флуктуации и сжатые состояния в нелинейном резонаторе
А.В. Белинский
Предложено квантовое решение задачи об эволюции поля в нелинейном резонаторе произвольной добротности. На примере происходящей в нем фазовой самомодуляции или параметрического усиления показана несостоятельность соответствующих полуклассических теорий. В частности, предсказываемая ими эффективность сжатия оказывается преувеличенной, а рекомендуемые режимы его достижения - не оптимальными.
Показать АннотациюЧисленное исследование поляризационного гистерезиса в двухпроходной оптической системе с нелинейной средой и поворотным зеркалом
Численное исследование поляризационного гистерезиса в двухпроходной оптической системе с нелинейной средой и поворотным зеркалом
В.А. Булохова, А.А. Голубков, Я.М. Жилейкин, В.А. Макаров
Исследована устойчивость стационарных состояний поля в поляризационном отражателе. Показано существование в нем поляризационной бистабильности и гистерезисных эффектов.
Показать АннотациюГруппы малых планет в случае соизмеримости третьего порядка
Группы малых планет в случае соизмеримости третьего порядка
Е.Л. Винников
Выделены группы резонансных астероидов третьего порядка и проведено статистическое описание самой многочисленной группы, соответствующей соизмеримости 5:2.
Показать АннотациюОценка глубины изостатической компенсации на Венере
Оценка глубины изостатической компенсации на Венере
Р.В. Габбасов
На основе данных разложения гравитационного поля и рельефа поверхности Венеры в ряд по сферическим функциям до 18-го порядка и степени методом передаточных функций оценена средняя глобальная глубина изостатической компенсации на Венере.
Показать АннотациюГенерация дефектов в диэлектрическом слое структур $Ge-GeO_2$ при имплантации ионов $Ar^+$
Генерация дефектов в диэлектрическом слое структур $Ge-GeO_2$ при имплантации ионов $Ar^+$
П.К. Кашкаров, А.В. Колесников, А.В. Петров, И.Г. Стоянова
Установлено, что имплантация ионов $Ar^+$ в пленку $GeO_2$ на поверхности Ge сопровождается генерацией ловушек для дырок в слое торможения ионов и ловушек для электронов в слое $GeO_2$ вблизи границы с Ge, что проявляется в увеличении нестабильности заряда поверхности при освещении.
Показать АннотациюЛазерная стимуляция нестационарного поглощения СВЧ-энергии в полупроводнике
Лазерная стимуляция нестационарного поглощения СВЧ-энергии в полупроводнике
А.Н. Бачурин, А.В. Козарь, С.А. Крупенко
Рассмотрено взаимодействие непрерывного СВЧ-излучения 8-мм диапазона длин волн и лазерного излучения ближней ИК-области в слое из чистого кристаллического кремния, расположенном в прямоугольном волноводе и полностью заполняющем поперечное сечение. Предложен экспериментальный метод исследования процессов диффузии фотоносителей, времени жизни носителей заряда.
Показать АннотациюОсобенности фотоэлектрических свойств особо чистого кремния
Особенности фотоэлектрических свойств особо чистого кремния
В.А. Морозова, О.Г. Кошелев, В.В. Остробородова
В спектрах фотопроводимости особо чистого кремния при 80 К обнаружены переходы с участием продольных акустических фононов и экситонов. Показано, что эффективные центры прилипания с концентрацией $\sim 5\cdot 10^{11}$ см$^{-3}$ на 3—4 порядка изменяют эффективное время жизни носителей при 80 К.
Показать АннотациюМоделирование электронной структуры аморфной системы Ni-Р
Моделирование электронной структуры аморфной системы Ni-Р
В.С. Степанюк, Б.Л. Григоренко, А.А. Кацнельсон, А. Сас, О.В. Фарберович
Сделана попытка проследить динамику изменения электронной структуры системы Ni-Р при увеличении концентрации фосфора. Показано влияние изменений, происходящих на 1-й и 2-й координационных сферах на электронную структуру исследуемой системы.
Показать АннотациюВлияние адсорбционно-десорбционных процессов на эффект переключения в пленке $VO_2$
Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на эффект переключения в пленке $VO_2$
С.Ю. Виниченко, Н.Л. Левшин, С.Ю. Поройков
Исследовалось влияние адсорбции донорных и акцепторных молекул на эффект переключения в пленках двуокиси ванадия. Обнаружено, что напряжение переключения возрастает при адсорбции донорных молекул и снижается в результате УФ-облучения.
Показать Аннотацию