Выходные параметры транзистора при больших сигналах
Выходные параметры транзистора при больших сигналах
Л.Н. Капцов, С.М. Эль Халавани
Теоретически и экспериментально исследована зависимость усредненных по первой гармонике параметров транзисrора от амплитуды колебаний в схеме с общим эмиттером при отсутствии тока смещения в базовой цепи. Показано, что эта зависимость наиболее сильно выражена при малых амплитудах колебаний по сравнению с напряжением коллекторной батареи и ее необходимо учитывать при расчете параметров колебательных контуров в коллекторной цепи.
Показать АннотациюПоведение сильно легированного полупроводника в электрическом поле
Поведение сильно легированного полупроводника в электрическом поле
3.А. Касаманян
Рассматривается задача о плотности состояний сильно легированного полупроводника во внешнем постоянном электрическом поле. Получены явные формулы в сравнительно слабых и сильных полях. Роль внешнего поля может играть поле дислокаций рассматриваемое приближенно постоянным.
Показать АннотациюПеренормировки в модели квантовой теории поля с тремя степенями свободы
Перенормировки в модели квантовой теории поля с тремя степенями свободы
В.Б. Гостев
Проведена перенормировка констант связи и операторов тяжелых частиц в простой модели квантовой теории поля с тремя типами фиксированных частиц, взаимодействующих путем обмена релятивистскими бозонами. Обнаружена неаналитическая зависимость перенормированной константы связи λ1 от "внутренней" постоянной связи λ02. Найдена область допустимых значений перенормированных констант связи при заданном обрезающем импульсе (энергии).
Показать АннотациюК уравнениям квантовой гидродинамики с учетом диссипационных процессов
К уравнениям квантовой гидродинамики с учетом диссипационных процессов
В.А. Красников
На основе квантовой статистики получены уравнения гидродинамики с учетом диссипационных процессов вязкости, диффузии и теплопроводности. Данный вывод не предполагает использование кинетического уравнения.
Показать АннотациюСцинтилляционный датчик с разрешением 2,1 % для 6,6 Мэв протонов
Сцинтилляционный датчик с разрешением 2,1 % для 6,6 Мэв протонов
Т.Н. Михалева, Д.Л. Чупрунов
Изложены результаты по улучшению разрешающей спюсобности сцинтилляционного датчика. Дано описание сцинтилляционного датчика с улучшенной разрешающей способностью и результаты его использования на заряженных частицах, ускоренных на циклотроне НИИЯФ МГУ.
Показать АннотациюПараметрические делители частоты с модулированной накачкой
Параметрические делители частоты с модулированной накачкой
М.И. Дивлекеев, О.И. Медников
Исследовано воздействие АМ и ЧМ сигналов на двухконтурные параметрические делители частоты. Показано, что происходит сильное подавление амплитудной модуляции. При делении ЧМ сигнала девиация уменьшается в n раз.
Показать АннотациюСравнение разрешающей силы многолучевого интерферометра в режимах плоскопараллельной и клинообразной пластинки
Сравнение разрешающей силы многолучевого интерферометра в режимах плоскопараллельной и клинообразной пластинки
Ф.А. Королев, А.И. Акимов, Е.В. Лазарева, Н.В. Гурьева
Сравниваются разрешающие способности двух разновидностей многолучевого интерферометра с плоскопараллельными зеркалами, расположенными в виде клина.
Показать АннотациюЭнергии изобарных и изотопических переходов и новая формула для масс ядер
Энергии изобарных и изотопических переходов и новая формула для масс ядер
Н.Н. Колесников
Устанавливается новая формула для масс ядер, которая уточняет известные в настоящее время свойства энергетической поверхности ядер.
Показать Аннотацию
