Аннотация
Сообщается о наблюдении ориентационных зависимостей интенсивности второй гармоники и суммарной частоты, генерируемых при отражении от поверхности кремния среза (111), имплантированной ионами фосфора. Эксперимент показал, что с ростом дозы имплантации относительная величина анизотропного вклада в сигнал падает, что соответствует постепенному росту степени разупорядочения кристаллической структуры.
English citation: Generation of a second harmonic and a total frequency with reflection from a silicon surface implanted with phosphorus ions: diagnosis of crystalline structure randomization
M.F. Galyautdinov, S.V. Govorkov, N.I. Koroteev, I.B. Khaibullin, I.L. Shumai
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
М.Ф. Галяутдинов, С.В. Говорков, Н.И. Коротеев, И.Б. Хайбуллин, И.Л. Шумай
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.