Процессы переноса заряда в структурах $Ge-GeO_2$ при воздействии нано- и пикосекундных световых импульсов

Изучены зависимости оптического заряжения поверхности германия от экспозиции облучения и температуры в широких диапазонах интенсивностей ($Р=10^{-4}-10^9 Вт/см^2$) и длительностей ($\tau = 3\cdot 10^{-11}-10^2с$) освещения. Показано, что величина фотоинжектированного в окисный слой заряда определяется экспозицией $P_{\tau}$ и не зависит от интенсивности света. Оценена температура тонкого ($\sim$20 нм) поверхностного слоя образца непосредственно в момент лазерного импульса.