Аннотация
Показано, что в нелегированном высокоомном GaAs, выращенном из расплава, обогащенного Ga, концентрация центров EL2 уменьшается в два раза при снижении атомной доли мышьяка от 0.5 до 0.454. Найдено, что термический отжиг в 1.6 раза увеличивает концентрацию центров EL2.
English citation: Concentration of EL2 centers in GaAs single crystals grown from melts of various compositions
V.A. Morozova, O.G. Koshelev, E.P. Veretenkin, V.N. Gavrin, Yu.P. Kozlova, A.V. Markov, A.Ya. Polyakov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Морозова$^1$, О.Г. Кошелев$^1$, Е.П. Веретенкин$^2$, В.Н. Гаврин$^2$, Ю.П. Козлова$^2$, А.В. Марков$^3$, А.Я. Поляков$^3$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Институт ядерных исследований РАН, Москва
$^3$Институт химических проблем микроэлектроники, Москва
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Институт ядерных исследований РАН, Москва
$^3$Институт химических проблем микроэлектроники, Москва
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.