Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Найдено: 7528

Влияние локальных возмущении на фазовый переход полупроводник—металл

Влияние локальных возмущении на фазовый переход полупроводник—металл

В.И. Емельянов, Н.Л. Левшин, С.Ю. Поройков, А.Л. Семенов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 63

Экспериментально исследовано влияние различных поверхностных воздействий на фазовый переход полупроводник—металл в пленках $VO_2$. Показано, что адсорбция донорных молекул $Н_2О$ и $NH_3$ снижает критическую температуру фазового перехода $Т_с$, адсорбция акцепторных молекул $O_2$ не оказывает влияния на величину $Т_c$, адсорбция ионов кислорода приводит к возрастанию $Т_с$. В результате УФ-облучения происходит деградация фазового перехода полупроводник — металл. Обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода. Полученные экспериментальные результаты, а также данные других исследователей по влиянию внешних воздействий на фазовый переход анализируются на основании разработанной нами модели фононного ангармонизма.

Показать Аннотацию
PDF

Исследование затрат энергии на распыление атома с поверхности кристалла I. Моделирование на ЭВМ методом молекулярной динамики

Исследование затрат энергии на распыление атома с поверхности кристалла I. Моделирование на ЭВМ методом молекулярной динамики

В.Н. Самойлов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 75

Методом молекулярной динамики исследованы закономерности обнаруженного ранее эффекта, состоящего в том, что эмитируемый с поверхности атом затрачивает энергию не только на преодоление сил притяжения к поверхности, но и в значительной степени — на отдачу окружающих атомов. Показано, что аналитические модели распыления дают неверную картину формирования суммарных затрат энергии, необходимых для распыления атома с поверхности, что приводит к некорректности формул для функции распределения распыленных атомов по внешним энергии и полярному углу.

Показать Аннотацию
PDF

Об асимптотическом решении некоторых динамических задач вязкоупругости

Об асимптотическом решении некоторых динамических задач вязкоупругости

Г.Н. Медведев, Б.И. Моргунов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 82

Излагается асимптотическая процедура приближенного решения интегро-дифференциальных уравнений динамической теории вязкоупругости для сред с относительно быстро изменяющимися свойствами. Описанная методика предназначена для расчета колебательных и волновых процессов.

Показать Аннотацию
PDF

Безактивационный электронный транспорт в первичных процессах разделения зарядов бактериального фотосинтеза

Безактивационный электронный транспорт в первичных процессах разделения зарядов бактериального фотосинтеза

А.К. Кукушкин, Р.Г. Садыгов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 84

В рамках золотого правила Ферми оценивается скорость электронного переноса: от димера к мономеру бактериохлорофилла в реакционном центре бактерии $\textit{Rhodopseudomonas viridis}$. Рассматривается безактивационный путь переноса электрона.

Показать Аннотацию
PDF

О ближайших к классическим состояниях моды квантованного электромагнитного поля

О ближайших к классическим состояниях моды квантованного электромагнитного поля

П.В. Елютин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 87

Рассматриваются состояния моды квантованного электромагнитного поля, ближайшие к одновременно собственным состояниям операторов рождения и уничтожения фотонов. Показано, что такие состояния отличны от когерентных, но переходят в них в предельных случаях слабых и сильных полей.

Показать Аннотацию
PDF

Нелинейные верхнегибридные волны при конечной температуре плазмы

Нелинейные верхнегибридные волны при конечной температуре плазмы

И.М. Алешин, Л.С. Кузьменков, О.О. Трубачев

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 89

Найдено и исследовано решение релятивистских кинетических уравнений Власова-Максвелла в кубическом по полю приближении для верхнегибридных волн, рас пространяющихся перпендикулярно внешнему магнитному полю.

Показать Аннотацию
PDF

Преобразование поперечной пространственной когерентности и поляризационных свойств света, распространяющегося через нелинейные гиротропные среды

Преобразование поперечной пространственной когерентности и поляризационных свойств света, распространяющегося через нелинейные гиротропные среды

В.А. Алешкевич, А.А. Голубков, Г.Д. Кожоридзе, В.А. Макаров

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 92

Исследовано преобразование пространственных флуктуаций поля полностью неполяризованной световой волны на начальном этапе схлопывания пучка. Рассчитана критическая мощность самофокусировки. Показано, что в процессе распространения излучения в изотропной гиротропной среде его степень поляризации растет, а пространственная когерентность уменьшается.

Показать Аннотацию
PDF

Результаты численного эксперимента по моделированию анизотропного развитого волнения

Результаты численного эксперимента по моделированию анизотропного развитого волнения

А.Л. Кузьминский

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 94

Приведены результаты численного эксперимента по моделированию сильно анизотропной модели Филлипса развитого морского поверхностного волнения. Сделан вывод о применимости моногармонического приближения для расчета ряда характеристик волнения.

Показать Аннотацию
PDF

Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:Н

Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:Н

И.П. Звягин, И.А. Курова, Н.В. Мелешко, Н.Н. Ормонт

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 97

Обнаружено различие закономерностей кинетики изменения фотопроводимости в процессе освещения для предварительно отожженных и освещенных при повышенных температурах нелегированных пленок а-Si:Н. Предложены разные механизмы фотоиндуцированного образования оборванных связей в пленках после различной их предварительной обработки.

Показать Аннотацию
PDF

Влияние адсорбции паров воды на электрофизические свойства барьера Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния

Влияние адсорбции паров воды на электрофизические свойства барьера Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния

Р.В. Прудников

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 100

Проведено исследование влияния адсорбции паров воды на вольт-амперные характеристики и частотную дисперсию емкости барьера Шоттки на основе a-Si:H. Высказано предположение, что ориентационная поляризуемость молекул воды снижает высоту барьера, а гидратация поверхности, кроме того, оказывает влияние на распределение плотности локализованных электронных состояний за счет насыщения оборванных связей кремния гидроксильными группами.

Показать Аннотацию
PDF