Фотоиндуцированное случайное поле в релаксационном полупроводнике
Фотоиндуцированное случайное поле в релаксационном полупроводнике
Ю.П. Дрожжов
Показано, что в релаксационном полупроводнике может возникать дополнительное статическое случайное поле под действием внешнего электрического поля и света.
Показать АннотациюТемпературные зависимости электросопротивления и структуры пленок $GdFe_2$, полученных в разряде с осциллирующими электронами
Температурные зависимости электросопротивления и структуры пленок $GdFe_2$, полученных в разряде с осциллирующими электронами
Г.В. Смирницкая, Э.М. Рейхрудель, Е.В. Яхшиева
Исследуются температурные зависимости электросопротивления, структуры и химического состава пленок $GdFe_2$ разной толщины, полученных в разных режимах разряда с осциллирующими электронами. Показано, что процесс кристаллизации зависит от толщины пленки и от режима разряда. Обнаружен и объяснен гистерезисный ход температурной зависимости электросопротивления. Данные химического анализа показывают, что кристаллизованные пленки $GdFe_2$ устойчивы к воздействию воздуха.
Показать АннотациюО природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия
О природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия
А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, А.Н. Образцов, Ю.Н. Сосновских, И.Н. Сорокин
Методом контактной разности потенциалов исследованы процессы перезарядки ловушек в анодном оксиде на поверхности GaAs при освещении. Показано, что в зависимости от условий получения оксида и последующих обработок изменяются концентрация ловушек для электронов и дырок, степень дефектности переходной области. Сделаны предположения о природе центров захвата дырок.
Показать АннотациюПроцессы переноса заряда в структурах $Ge-GeO_2$ при воздействии нано- и пикосекундных световых импульсов
Процессы переноса заряда в структурах $Ge-GeO_2$ при воздействии нано- и пикосекундных световых импульсов
П.К. Кашкаров, А.В. Петров
Изучены зависимости оптического заряжения поверхности германия от экспозиции облучения и температуры в широких диапазонах интенсивностей ($Р=10^{-4}-10^9 Вт/см^2$) и длительностей ($\tau = 3\cdot 10^{-11}-10^2с$) освещения. Показано, что величина фотоинжектированного в окисный слой заряда определяется экспозицией $P_{\tau}$ и не зависит от интенсивности света. Оценена температура тонкого ($\sim$20 нм) поверхностного слоя образца непосредственно в момент лазерного импульса.
Показать АннотациюВлияние эффектов корреляции на сечения когерентного комптон-эффекта
Влияние эффектов корреляции на сечения когерентного комптон-эффекта
В.А. Бушуев, А.О. Айт
Проведено теоретическое рассмотрение влияния эффектов корреляции на дифференциальные и интегральные сечения когерентного комптоновского рассеяния (КР) в совершенных кристаллах. Исследована зависимость сечений от угла рассеяния, энергии квантов КР, ориентации вектора рассеяния по отношению к вектору обратной решетки, от порядка отражения и характерного размера электронных оболочек. Результаты расчетов могут использоваться при постановке и интерпретации экспериментов по наблюдению когерентного КР.
Показать АннотациюУчет трехчастичного кулоновского взаимодействия в конечном состоянии процесса двойной фотоионизации гелия
Учет трехчастичного кулоновского взаимодействия в конечном состоянии процесса двойной фотоионизации гелия
В.Г. Левин, А.М. Мухамеджанов, А.В. Павличенков
Для энергий падающих фотонов порядка нескольких сотен электронвольт рассчитаны дифференциальные сечения процесса ($\gamma, 2е$) на атоме гелия. Показано, что учет взаимодействия трех заряженных частиц в конечном состоянии существенно влияет на поведение кривых угловых корреляций конечных электронов.
Показать АннотациюДинамика переходных процессов в усилителе СВЧ на релятивистском пучке с диэлектрическим заполнением
Динамика переходных процессов в усилителе СВЧ на релятивистском пучке с диэлектрическим заполнением
А.Р. Майков, А.Д. Поезд, Е.Д. Поезд, С.А. Якунин
Изложены результаты применения методики анализа нестационарных процессов в электронике СВЧ к перспективному классу СВЧ приборов, усиливающих и преобразующих короткие и сверхкороткие импульсы электромагнитного поля. Приведены нелокальные по времени нестационарные условия излучения.
Показать АннотациюНемарковская модель нелинейной восприимчивости растворов органических красителей
Немарковская модель нелинейной восприимчивости растворов органических красителей
В.М. Петникова, С.А. Плешанов, В.В. Шувалов
Сделана интерпретация экспериментальных спектроскопических данных, полученных ранее методом бигармонической накачки в растворах органических красителей. Показано, что хотя учет эффектов немарковости процесса колебательной релаксации практически не меняет оценок времени поперечной релаксации, именно он определяет дисперсию нелинейной восприимчивости в области растроек частот накачки порядка 10 $см^{-1}$.
Показать АннотациюО решении скалярной задачи дифракции на теле вблизи плоскости методом антенного потенциала
О решении скалярной задачи дифракции на теле вблизи плоскости методом антенного потенциала
В.В. Кравцов, П.К. Сенаторов
Метод антенного потенциала применяется для решения задачи дифракции на теле, расположенном около плоской границы. Приводятся результаты численного расчета дифракции поля плоской волны и точечного источника на сфере и вытянутом эллипсоиде вблизи плоскости.
Показать АннотациюВзаимодействие воды с аминокислотами и белками, изученное методами ЯМР-релаксации
Взаимодействие воды с аминокислотами и белками, изученное методами ЯМР-релаксации
Н.Г. Вострикова, В.П. Денисов, Ю.М. Петрусевич, О.П. Ревокатов
Исследовалась зависимость скоростей магнитной релаксации протонов воды в растворах белков и аминокислот от величины рН раствора. Установлено, что изменение среднего молекулярного заряда существенно влияет на скорости релаксации.
Показать Аннотацию