Выпуск 3, 2020
Гигантский дипольный резонанс ядер с числом нуклонов 12-65
Гигантский дипольный резонанс ядер с числом нуклонов 12-65
И. М. Капитонов
Проанализированы свойства гигантского дипольного резонанса (ГДР) большой группы легких атомных ядер. Анализ основан на систематике сечений фотопоглощения для 31-го ядра с числом нуклонов от 12 до 65, созданной по имеющимся в научной литературе экспериментальным данным. В сечениях, вошедших в систематику, отчетливо проявляются такие эффекты как конфигурационное и изоспиновое расщепления ГДР. Эти сечения рекомендованы для тестирования современных теорий ГДР.
Показать АннотациюThe coupled scalar field and GUP in cosmology with supersymmetry quantum mechanics
The coupled scalar field and GUP in cosmology with supersymmetry quantum mechanics
F. Safari
In this paper, we consider the GUP with conformally coupled scalar field. Also, we use the coupled scalar field with Fridman Robertson-Walker (FRW) quantum cosmology with an appropriate initial condition. The GUP-corrected Wheeler-De Witt equation in momentum space lead us to introduce the factorization method. This method helps us to obtain the exact solution for the corresponding system. So, here we factorize second order equation in terms of first order operators. These first order operators help us to arrange partner potential and superpotential. Also, we achieve the general quantum stats and energy spectrum for GUP with conformally coupled scalar field system. Also, we show that the stability of a system with energy spectrum with some condition.
Показать АннотациюTemporal regularization methodology including the correction of respiratory movements in dynamic reconstruction
Temporal regularization methodology including the correction of respiratory movements in dynamic reconstruction
A. Bardane, J. Tajmouati, A. Maghnouj, A. Dadouch
In this study, we compare the direct and indirect parametric reconstruction approaches (4D and 3D respectively) in terms of their performance in terms of kinetic parameter estimation, and a noise measurement represented by the normalized standard deviation. A numerical phantom with simple geometric shapes has was modelized to evaluate these performances on several sizes of spheres.
Показать АннотациюThe spin response of the $\vec\gamma\vec d\to\pi^0d$ reaction near threshold and its implication to the GDH sum rule and the double polarization $E$-asymmetry
The spin response of the $\vec\gamma\vec d\to\pi^0d$ reaction near threshold and its implication to the GDH sum rule and the double polarization $E$-asymmetry
E. M. Darwish$^1$, H. Abou-Elsebaa$^1$, K. Alsadi$^2$, M. Saleh Yousef$^3$
The spin response of the $\vec\gamma\vec d\to\pi^0d$ reaction near threshold is investigated. Our formalism based on the impulse approximation, uses the realistic Bonn $NN$ potential (full model) for the deuteron wave function and the unitary isobar MAID-2007 model for the elementary $\gamma N\to\pi N$ amplitude. We present the first results for the double polarized differential and total cross sections for parallel and antiparallel helicity states, the deuteron spin asymmetry, the helicity $E$-asymmetry, the deuteron GDH integral, and the double spin asymmetries of the total cross section in the near-threshold region. Sensitivity of the estimated results to the $D$-wave effect of the deuteron wave function for a realistic $NN$ potential is studied. We find an insignificant sensitivity of most of the estimated observables to the $D$-wave component. A noticeable role is obtained only in the double polarized differential cross section with antiparallel spins of photon and deuteron $d\sigma^A/d\Omega_\pi$ close to the threshold energy at forward and backward pion angles as well as in the double spin asymmetry of the total cross section $\sigma\Tilde T_{20}$ at relatively large photon energies. Thus, we compare results for these two observables using various $NN$ potential models with different $D$-state probabilities, and a noticeable influence is found.
Показать АннотациюПереходы между состояниями сверхтонкой структуры антипротонного $^{4}$He при столкновениях с атомами среды: взаимодействие ab initio
Переходы между состояниями сверхтонкой структуры антипротонного $^{4}$He при столкновениях с атомами среды: взаимодействие ab initio
А. В. Бибиков, Г. Я. Коренман, С. Н. Юдин
Столкновения метастабильных антипротонных атомов гелия с атомами среды вызывают, среди прочих процессов, переходы между состояниями сверхтонкой структуры (СТС), сдвиги и уширение микроволновых M1-спектральных линий. Для получения матрицы потенциала взаимодействия ($\bar{p}$ He$^{+} - He) выполнены расчеты поверхности потенциальной энергии (ППЭ) в неограниченном методе Хартри-Фока с учетом электронных корреляций во втором порядке теории возмущения (MP2). С этим потенциалом численно решается система уравнений сильной связи каналов СТС и рассчитываются сечения и скорости переходов, сдвиги и уширения M1-спектральных линий, которые затем используются при решении кинетического уравнения, определяющего временную эволюцию матрицы плотности состояний СТС. Результаты сравниваются с экспериментальными данными и с результатами модельных расчетов.
Показать АннотациюAir-Kerma to Personal Dose Equivalent Hp(0.07, α) Conversion Coefficients for Monoenergetic Photons
Air-Kerma to Personal Dose Equivalent Hp(0.07, α) Conversion Coefficients for Monoenergetic Photons
H. Al Kanti, E. Otman, T. El BBardouni
This study aims to calculate the air Kerma to personal dose equivalent conversion coefficients Hp(0.07) for mono-energetic photons from 0.015 to 10 MeV for angles of incidence from 0° to a 75° in steps of 15° using Mont Carlo (MC). In addition to this, we propose a new equation to perform an analytical fit of our Monte Carlo calculated conversion coefficients for photons. Hp(0.07)/Kair values have been determined by two terms: in term of absorbed dose, according to the definition of this quantity, and also with the term of Kerma approximation. The results obtained are compared to those published in report Bartlett and Dietze, 2017. A good agreement with reference data with a local difference less than 2\% was observed.
Показать АннотациюСимметрии и общее гармоническое решение уравнений электродинамики Максвелла с аксионом
Симметрии и общее гармоническое решение уравнений электродинамики Максвелла с аксионом
О. В. Кечкин$^3$, П. А. Мошарев$^{1,2}$
Получен эффективный лагранжиан и найдена группа скрытых симметрий теории Максвелла с аксионом в стационарном случае. Построено общее гармоническое решение; показано, что центрально-симметричный источник может обладать магнитным полем кулоновского типа. Электрическое поле такого источника имеет потенциал сложного вида, который при особом выборе параметров может быть всюду конечным. В первом порядке теории возмущений вычислено дифференциальное сечение рассеяния пробных частиц на дионе, обладающем аксионым зарядом.
Показать АннотациюВлияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремнии
Влияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремнии
Ю. В. Балакшин$^{1,3}$, А. В. Кожемяко$^2$, А. П. Евсеев$^{1,2}$, Д. К. Миннебаев$^{1,2}$, E. M. Elsehly$^4$
Монокристаллический кремний был облучен ионами ксенона с энергиями 100, 200 кэВ и ионами аргона с энергией 110 кэВ. Флюенс облучения варьировался в диапазоне параметра «смещение на атом» (dpa) от 0.1 до 1 для обоих типов ионов и выбранных энергий. Влияние облучения на разрушение структуры кремния изучалось методами резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием и комбинационного рассеяния света. Продемонстрированы этапы разрушения кристаллической структуры кремния на основе спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния и комбинационного рассеяния света для разных флюенсов облучения. Показано, что с ростом флюенса до величины, соответствующей значению 0.5 dpa происходит накопление дефектов в модифицируемом слое, а затем, слияние высокодефектных областей в аморфные слои. При величине параметра dpa равного 1, полного разупорядочивания структуры монокристалла не наблюдается.
Показать АннотациюМодификация поверхности SiO$_2$(Au)/Si при облучении ионами аргона
Модификация поверхности SiO$_2$(Au)/Si при облучении ионами аргона
В. Д. Бундюкова$^{1,2}$, Д. В. Якимчук$^1$, Е. Ю. Канюков$^3$, Д. И. Тишкевич$^{1,4}$, М. Д. Кутузов$^1$, В. В. Пригодич$^1$, А. А. Шемухин$^{2,6}$, Ю. В. Балакшин$^{2,6}$, А. В. Назаров$^2$, А. В. Кожемяко$^5$, А. П. Евсеев$^{2,5}$, А. Е. Иешкин$^5$
Представлены результаты осаждения золота в поры матриц SiO$_2$/Si, а также модификации полученных систем SiO$_2$(Au)/Si под действием облучения ионами аргона Ar+ с энергией 100 кэВ с флюенсом 5·10$^{14}$ ион/см$^2$. Продемонстрировано влияние облучения на изменение топографии поверхности систем SiO$_2$(Au)/Si и интенсивности сигнала гигантского комбинационного рассеяния при детектировании модельного аналита Метиленовый синий.
Показать АннотациюТемпературная зависимость электросопротивления и эффекта Холла неупорядоченных сплавов Au$_x$Pd$^{1-x}$
Температурная зависимость электросопротивления и эффекта Холла неупорядоченных сплавов Au$_x$Pd$^{1-x}$
Д. Х. Имамназаров$^1$, А. Б. Грановский$^2$
В рамках приближения когерентного потенциала для s-d модели с учетом электрон-фононного взаимодействия рассчитаны концентрационные и температурные зависимости сопротивления ρ и коэффициента Холла Rо бинарного неупорядоченного сплава Au$_x$Pd$^{1-x}$. На примере данного сплава анализируются механизмы, ответственные за температурные изменения ρ и Rо, взаимосвязь ρ и температурного коэффициента сопротивления, приводящая к правилу Муиджи, а также корреляция между температурной зависимостью Rо и температурным коэффициентом сопротивления. Рассчитанные концентрационные и температурные зависимости ρ и R$_0$ хорошо согласуются с экспериментальными данными для сплава Au$_x$Pd$^{1-x}$ во всем диапазоне концентраций.
Показать АннотациюУсиление межподрешеточного обменного взаимодействия в нитридах R(Fe,Ti)$^{12}$N (R = Ho и Er)
Усиление межподрешеточного обменного взаимодействия в нитридах R(Fe,Ti)$^{12}$N (R = Ho и Er)
И. С. Терёшина
Проанализированы полевые зависимости намагниченности азотсодержащих соединений R(Fe,Ti)$^{12}$N (R = Ho и Er). Обнаружено, что исходный образец HoFe$^{11}$Ti при Т = 4.2 К демонстрирует анизотропию типа легкая ось, однако в результате азотирования тип анизотропии меняется на конус осей легкого намагничивания. В нитридах HoFe$^{11}$TiN и ErFe$^{11}$TiN, так же как и в исходных образцах HoFe$^{11}$Ti и ErFe$^{11}$Ti, наблюдается каскад индуцированных внешним магнитным полем спин-переориентационных фазовых переходов. В рамках теории молекулярного поля оценено влияние азотирования на межподрешеточные обменные взаимодействия. Установлено, что молекулярное поле, действующее со стороны подрешетки железа на редкоземельные ионы гольмия и эрбия усиливается. Проведено сравнение влияния азотирования и гидрирования на межподрешеточный обмен.
Показать АннотациюТермостимулированные токи деполяризации в кристаллах ТГС с примесями и радиационными дефектами при ступенчатом нагреве
Термостимулированные токи деполяризации в кристаллах ТГС с примесями и радиационными дефектами при ступенчатом нагреве
Н. Д. Гаврилова$^1$, И. А. Малышкина$^1$, О. Д. Новик$^2$
Метод токов термостимулированной деполяризации (ТДП) был применен для исследования монокристаллов триглицинсульфата (ТГС) - чистых, γ-облученных и легированных ионами Cr3+. При введении на стадии роста в решетку примесей внедрения (Cr, Cu, Fe) в количестве тысячных долей весового процента в монокристалле ТГС происходит стабилизация доменной структуры (монодоменизация), расширяется область полярной фазы (вплоть до TM≈110oС), но сохраняется аналогия диэлектрического отклика в точке Кюри ТC≈49.7oС. Эти эффекты отражаются на температурной зависимости тока ТДП в виде экстремума в районе ТC и дополнительных размытых аномалий в районе TM. Похожие явления имеют место в кристаллах ТГС, облученных γ-лучами в присутствии поляризующего электрического постоянного поля. Данные аномалии, вероятно, обусловлены изменением энергии протонов при переходе скачком на более высокий энергетический уровень в двухминимумном потенциале водородной связи.
Показать АннотациюТепловое действие рентгеновского излучения на совершенные кристаллы. Постановка задачи и аналитическое решение
Тепловое действие рентгеновского излучения на совершенные кристаллы. Постановка задачи и аналитическое решение
А. П. Орешко
Найдено аналитическое выражение, описывающее пространственное и временное распределение теплового поля в кристалле, облучаемом синхротронным рентгеновским излучением с произвольной пространственно-временной структурой.
Показать АннотациюОсобенности полевых и температурных зависимостей магнитострикции многокомпонентных сплавов Sm$_{0.2}$(Y,Tb)$_{0.8}$Fe$_2$
Особенности полевых и температурных зависимостей магнитострикции многокомпонентных сплавов Sm$_{0.2}$(Y,Tb)$_{0.8}$Fe$_2$
Т. А. Алероева$^{1,2}$, А. С. Илюшин$^{1,3}$, З. С. Умхаева$^{2,3}$, Н. Ю. Панкратов$^1$, И. С. Терёшина$^1$
В работе приведены результаты синтеза и изучения магнитострикционных свойств сплавов многокомпонентной системы Sm$_{0.2}$(Y,Tb)$_{0.8}$Fe$_2$. В данной системе, варьируя концентрацию компонент, температуру и внешнее магнитное поле можно влиять на конкурирующие обменные взаимодействия и наблюдать целый ряд уникальных явлений, таких как компенсация намагниченности и компенсация магнитострикции. Методом рентгеноструктурного фазового анализа установлено, что данные сплавы обладают кристаллической структурой фазы Лавеса С15. Продольная и поперечная магнитострикции исследованы в области температур от 80 до 300 К в магнитных полях до 12 кЭ. Используя экспериментальные значения, были рассчитаны объемная и анизотропная магнитострикции. Обнаружена инверсия знака объемной магнитострикции в соединении Sm$_{0.2}$(Y,Tb)$_{0.8}$Fe$_2$ при Т = 150 K. Показано, что объемная магнитострикция ряда исследованных сплавов практически не изменяется и близка к нулевому значению в широкой области температур 150-300 K. Полученные результаты обсуждены в рамках модели трехподрешеточного магнетика с конкурирующими обменными взаимодействиями.
Показать АннотациюИзмерительный стенд для однофотонных детекторов на основе наноструктур NbN.
Измерительный стенд для однофотонных детекторов на основе наноструктур NbN.
К. А. Балыгин$^1$, С. И. Божко$^2$, А. М. Ионов$^2$, А. И. Климов$^2$, С. П. Кулик$^2$, С. Н. Молотков$^2$, И. Е. Осташев$^2$, В. М. Черняк$^2$
Представлен измерительный комплекс для регистрации событий однофотонными сверхпроводниковыми детекторами на основе NbN структур, в котором в качестве криогенных усилителей используются малошумящие, высокочастотные HEMT транзисторы.
Показать Аннотацию